Анотація: Гетероструктура p-GaTe – n-InSe сформована методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію поверхні шаруватих кристалів GaTe і InSe. Показано, що на гетеромежіp-GaTe – n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Наведена пряма гілка вольт-амперної характеристики показує, що гетероперехід володіє високими діодними властивостями. Встановлена область спектральної фоточутливості гетероструктури p-GaTe – n-InSe і показані особливості її зонної енергетичної діаграми.
Ключові слова: селенід індію, шаруваті кристали, гетеропереходи, АСМ-зображення, спектральні характеристики.
