Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова (Київ, Україна)


Сапельнікова О. Ю., Карачевцева Л. А., Панова О. В., Бурдейна Н. Б. Визначення напруженості локального електричного поля в окислених структурах макропористого кремнію з наночастинками ZnO та CdS на границі «Si – SiO2» // Міжнародний науковий журнал "Інтернаука". - 2020. - №3.​


Галузь науки: Фізико-математичні науки
Читати onlineЗавантажити статтю (pdf)

Анотація: Гетероструктура p-GaTe n-InSe сформована методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію поверхні шаруватих кристалів GaTe і InSe. Показано, що на гетеромежіp-GaTe n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Наведена пряма гілка вольт-амперної характеристики показує, що гетероперехід володіє високими діодними властивостями. Встановлена область спектральної фоточутливості гетероструктури p-GaTe n-InSe і показані особливості її зонної енергетичної діаграми.

Ключові слова: селенід індію, шаруваті кристали, гетеропереходи, АСМ-зображення, спектральні характеристики.


Галузь науки: Фізико-математичні науки
Читати onlineЗавантажити статтю (pdf)